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高温高湿PID测试系统技术参数

  • 发布日期:2021/12/29      浏览次数:280
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    本公司研发光伏组件测试系统 PID(ZWPID08)根据 IEC 82/685/NP:System voltage durability test for crystalline silicon modules,基本要求是准备 3 块组件。其中一块作为控制组件,组件置于一定 温度和湿度的环境中,将组件的内部导电体与高压电源的一个极连在一起,组件外导电体与高压电源的另 一极连在一起。一块组件在正偏压下进行老化,一块组件在负偏压下老化

    测试条件如下:

    环境温度:60℃±2℃;

    环境湿度:85%±5% RH;

    测试时间:96 小时;

    测试电压:在组件需满足的正系统电压下或负系统电压下。

    技术参数 :

    1 高压电源(正向)

    电压:

    测试范围:0-1500V

    测试精度:0.5%FS

    分辨率:1V

    电流:

    测试范围:0-1000uA

    测试精度:0.5%FS

    2 高压电源(负向)

    电压:

    测试范围:0--1500V

    测试精度:0.5%FS

    分辨率:1V 电流:

    测试范围:0-1000uA

    测试精度:0.5%FS

    分辨率: 1uA

    分辨率: 1uA